itzine (itzine) wrote,
itzine
itzine

Categories:

Модуль DDR5 на 512 ГБ от Samsung

Компания объявила о создании первого в мире модуля оперативной памяти DDR5 по технологии High‑K Metal Gate, объёмом 512 Гб. Она будет в два раза быстрее, чем DDR4 и потреблять меньше энергии. Технология High‑K Metal Gate это способ производства полупроводников с использованием диэлектриков, выполненных из материала. Преимущество в том, что у таких полупродников проницаемость больше, чем у диоксида кремния. High‑K Metal Gate начали применять ещё в 2018 году при производстве чипов GDDR6. При помощи использования технологии межкремниевых соединений память DDR5 от Samsung объединяет восемь слоёв микросхем DRAM ёмкостью 16 ГБ каждый. Это обеспечит максимальную ёмкость в 512 ГБ. По словам компании, у новой памяти
https://itzine.ru/news/hard-news/s512gb-ddr5-module-from-samsung.html?utm_source=social&utm_medium=lj
Subscribe

promo itzine october 6, 2019 12:50 20
Buy for 10 tokens
Традиционно с 4 по 6 октября в Москве проходит выставка ИгроМир 2019 и фестиваль поп-культуры Comic Con Russia 2019. В эти дни в Крокус Экспо собираются все любители игр, разработчики, дизайнеры, косплееры и просто красивые девушки. В этом году на выставке мы увидели много костюмов из Overwatch,…
  • Post a new comment

    Error

    Anonymous comments are disabled in this journal

    default userpic
  • 0 comments